成本與性能齊降，20nm閃存SSD性能搶先曝光

  雖說Intel 20nm NAND閃存到Q3才開始量產，但是目前仍有小量的20nm NAND 閃存試產出來，像在Intel NAND 上極有資源優勢的SuperSSpeed，已經拿到了20nm的NAND閃存，並搭配SF2281主控開始生產新一代製程的SSD了。

                                               Intel NAND 各製程下的 Die比較

  從目前的資料看，20nm製程的L84顆粒Page會有8KB（TSOP 封裝）和16KB（BGA 封裝）兩種，由於密度 的上升，每個Page的Spare Byte（用來存放ECC簽名）也明顯增加，比如說25nm時，一個8KB的Page需要有448bytes的 Spare Area，當製程進步到20nm後，Spare Area卻需要744bytes，每1KB數據需要更多的ECC檢驗數據。對於SandForce主控來 說，RAISE冗餘技術顯得就更加重要了。

還是來看看20nm NAND 的性能吧，測試平台採用的是微星Z77主板，Windows 7 SP1系統：

                                 HD Tune Pro下的Info信息（F3表示20nm製程）

    先關注一下HD Tune Pro中的Info，Serial這一項大多數情況下會顯示該SSD所有閃存的型號（一般為編號後幾位），對Intel閃存比較熟悉的同學應該 會記得目前主流的編號後幾位多是ACME3之類的，其中E表示製程，也就是25nm，而20nm的編號則是F，最後的數字可以理解為步進什麼的，這次F3 顆粒的具體編號為JS29F64G08ACMF3。

                                                      CDM 的成績

                                                                AS SSD 成績

                                                             PC Mark 7成績

  從現有的測試成績看，20nm NAND閃存的SSD會比25nm下閃存的性能要低10%左右，尤其是4K隨機性能下降得比較多，不過目前還是試驗階段，考慮到固件還會繼續針對20nm進行優化，性能應該還會有所提升。

  據SuperSSpeed透露，20nm閃存的成本會下降5-10%，反正目前SSD的性能已經足夠快了，價格還是主要瓶頸，期待一下，到了年底，20nm製程閃存SSD的大量上市，120GB的SSD會下降到500元嗎？


        來源:http://www.expreview.com/19561.html